Dữ liệu Kim Nguyên tố ngày 6 tháng 6 cho biết, ON Semiconductor đã giới thiệu thế hệ mới nhất của dòng sản phẩm T10 PowerTrench® và bộ kết hợp MOSFET EliteSiC 650V, giúp trung tâm dữ liệu giảm khoảng 1% tổn thất điện năng. Theo thông tin, dòng sản phẩm T10 PowerTrench được thiết kế đặc biệt để xử lý dòng điện lớn quan trọng trong quá trình chuyển đổi công suất DC-DC, cung cấp mật độ công suất cao hơn và hiệu suất nhiệt xuất sắc thông qua kích thước đóng gói gọn gàng; MOSFET Silicon Carbide (SiC) thế hệ mới giảm một nửa điện tích cổng và năng lượng được lưu trữ trong tụ điện đầu ra và điện tích đầu ra giảm đi 44%. Giải pháp kết hợp này đáp ứng các yêu cầu nghiêm ngặt của các nhà khai thác quy mô lớn theo tiêu chuẩn cơ bản Open Rack V3 (ORV3), hỗ trợ bộ xử lý công suất lớn thế hệ tiếp theo.
Nội dung chỉ mang tính chất tham khảo, không phải là lời chào mời hay đề nghị. Không cung cấp tư vấn về đầu tư, thuế hoặc pháp lý. Xem Tuyên bố miễn trừ trách nhiệm để biết thêm thông tin về rủi ro.
Dữ liệu Kim Nguyên tố ngày 6 tháng 6 cho biết, ON Semiconductor đã giới thiệu thế hệ mới nhất của dòng sản phẩm T10 PowerTrench® và bộ kết hợp MOSFET EliteSiC 650V, giúp trung tâm dữ liệu giảm khoảng 1% tổn thất điện năng. Theo thông tin, dòng sản phẩm T10 PowerTrench được thiết kế đặc biệt để xử lý dòng điện lớn quan trọng trong quá trình chuyển đổi công suất DC-DC, cung cấp mật độ công suất cao hơn và hiệu suất nhiệt xuất sắc thông qua kích thước đóng gói gọn gàng; MOSFET Silicon Carbide (SiC) thế hệ mới giảm một nửa điện tích cổng và năng lượng được lưu trữ trong tụ điện đầu ra và điện tích đầu ra giảm đi 44%. Giải pháp kết hợp này đáp ứng các yêu cầu nghiêm ngặt của các nhà khai thác quy mô lớn theo tiêu chuẩn cơ bản Open Rack V3 (ORV3), hỗ trợ bộ xử lý công suất lớn thế hệ tiếp theo.