Данные Golden Ten на 6 июня: новое поколение комбинированных решений T10 PowerTrench® и EliteSiC 650V MOSFET от ON Semiconductor помогает центрам обработки данных сократить потери энергии примерно на 1%. T10 PowerTrench разработан специально для работы с высокими токами, которые критичны для преобразования энергии на уровне DC-DC, обеспечивая более высокую плотность мощности и отличную теплопроводность благодаря компактным габаритам. Новое поколение устройств на основе карбида кремния (SiC) снижает заряд на затворе MOSFET вдвое, а также уменьшает на 44% энергию, накапливающуюся в выходных конденсаторах и выходных зарядах. Это комбинированное решение соответствует строгим требованиям открытых стандартов V3 для гипермасштабируемых операторов и поддерживает новое поколение мощных процессоров.
Содержание носит исключительно справочный характер и не является предложением или офертой. Консультации по инвестициям, налогообложению или юридическим вопросам не предоставляются. Более подробную информацию о рисках см. в разделе «Дисклеймер».
Данные Golden Ten на 6 июня: новое поколение комбинированных решений T10 PowerTrench® и EliteSiC 650V MOSFET от ON Semiconductor помогает центрам обработки данных сократить потери энергии примерно на 1%. T10 PowerTrench разработан специально для работы с высокими токами, которые критичны для преобразования энергии на уровне DC-DC, обеспечивая более высокую плотность мощности и отличную теплопроводность благодаря компактным габаритам. Новое поколение устройств на основе карбида кремния (SiC) снижает заряд на затворе MOSFET вдвое, а также уменьшает на 44% энергию, накапливающуюся в выходных конденсаторах и выходных зарядах. Это комбинированное решение соответствует строгим требованиям открытых стандартов V3 для гипермасштабируемых операторов и поддерживает новое поколение мощных процессоров.